5月27日，長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司科創(chuàng)板IPO成功通過(guò)上市委會(huì)議審核，審核結(jié)果確認(rèn)公司本次上市申請(qǐng)完全符合發(fā)行條件、上市條件及信息披露相關(guān)要求，標(biāo)志著這家國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭的A股上市進(jìn)程迎來(lái)關(guān)鍵突破。

據(jù)長(zhǎng)鑫科技招股說(shuō)明書(shū)（申報(bào)稿）披露，公司2026年上半年經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，盈利能力與營(yíng)收規(guī)模大幅躍升。數(shù)據(jù)顯示，公司當(dāng)期實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1100億元至1200億元，同比大幅增長(zhǎng)612.53%至677.31%；歸母凈利潤(rùn)達(dá)到500億元至570億元，同比增速高達(dá)2244.03%至2544.19%，亮眼的業(yè)績(jī)表現(xiàn)充分彰顯了公司在存儲(chǔ)芯片（886042）領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力與強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)能。

本次沖刺科創(chuàng)板上市，長(zhǎng)鑫科技擬募集資金295億元，募資全部聚焦主營(yíng)業(yè)務(wù)技術(shù)迭代與產(chǎn)能升級(jí)。具體將投向存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目等核心領(lǐng)域，精準(zhǔn)聚焦存儲(chǔ)芯片（886042）制造、技術(shù)優(yōu)化及前沿研發(fā)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

分析人士指出，作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片（886042）行業(yè)核心企業(yè)，充足的資本加持將助力公司突破技術(shù)瓶頸、優(yōu)化產(chǎn)線產(chǎn)能、夯實(shí)前瞻技術(shù)布局，進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器的技術(shù)水平與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體（881121）存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化、高端化發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，推動(dòng)行業(yè)整體高質(zhì)量升級(jí)。