歷時(shí)148天，長(zhǎng)鑫科技IPO迎來關(guān)鍵性進(jìn)展。5月27日，上交所官網(wǎng)顯示，長(zhǎng)鑫科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)已通過上交所上市委審議，并在同日提交注冊(cè)，正式步入注冊(cè)程序。待中國(guó)證監(jiān)會(huì)注冊(cè)同意后，長(zhǎng)鑫科技可以啟動(dòng)招股，登陸A股市場(chǎng)。長(zhǎng)鑫科技是科創(chuàng)板試點(diǎn)IPO預(yù)先審閱機(jī)制后的首單受理及首單過會(huì)項(xiàng)目。此次公司擬募資295億元，有望成為2026年以來A股最大IPO。

有分析人士認(rèn)為：憑借行業(yè)龍頭地位、業(yè)績(jī)高增韌性與大額募資布局，長(zhǎng)鑫科技成長(zhǎng)空間備受市場(chǎng)期待。同時(shí)，其一步步完成證券化，也印證了存儲(chǔ)芯片（886042）行業(yè)的高景氣邏輯：隨著AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游設(shè)備、材料等多環(huán)節(jié)也將迎來機(jī)遇。

業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng) 產(chǎn)能利用率穩(wěn)步提升

長(zhǎng)鑫科技專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（886042）（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司現(xiàn)已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化產(chǎn)品布局，并可提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多樣化的產(chǎn)品方案，可有效滿足服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、智能汽車等市場(chǎng)需求。公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠。咨詢機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示，按照產(chǎn)能和出貨量統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)鑫科技已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠商。

作為國(guó)產(chǎn)DRAM龍頭，長(zhǎng)鑫科技“乘風(fēng)”存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期（883436），實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)爆發(fā)。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示：公司2026年一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入508億元，同比增長(zhǎng)719.13%；凈利潤(rùn)330.12億元，同比增長(zhǎng)1268.45%；歸母凈利潤(rùn)247.62億元，同比增長(zhǎng)1688.30%。

產(chǎn)能方面，公司2023年、2024年和2025年產(chǎn)能均來自12英寸晶圓制造生產(chǎn)線，整體產(chǎn)能和產(chǎn)量快速增長(zhǎng)，產(chǎn)能利用率穩(wěn)步提升，分別為87.06%、92.46%和95.73%。

展望后市，長(zhǎng)鑫科技給出的指引非常樂觀。公司預(yù)計(jì)：2026年上半年?duì)I業(yè)收入為1100億元至1200億元，同比增長(zhǎng)612.53%至677.31%；歸母凈利潤(rùn)為500億元至570億元，同比增長(zhǎng)2244.03%至2544.19%；扣非凈利潤(rùn)為520億元至580億元，同比增長(zhǎng)2278.89%至2530.30%。

此次IPO，長(zhǎng)鑫科技擬募資295億元，用于存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目。

目前，朱一明任長(zhǎng)鑫科技董事長(zhǎng)。長(zhǎng)鑫科技無控股股東、實(shí)際控制人，股權(quán)結(jié)構(gòu)較為分散，不存在單一持股比例超過50%的股東。直接持有公司5%以上股份的股東為清輝集電、長(zhǎng)鑫集成、大基金二期、合肥集鑫和安徽省投，截至招股書簽署日，分別為21.67%、11.71%、8.73%、8.37%和7.91%。

景氣周期延續(xù) 產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)受益

半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代信息技術(shù)和數(shù)字經(jīng)濟(jì)（885976）的基石，在全球科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)發(fā)展中扮演著至關(guān)重要的角色。存儲(chǔ)芯片（886042）作為集成電路的關(guān)鍵分支，是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取與讀寫功能的電子器件。

近年來，AI、HPC等新興技術(shù)場(chǎng)景持續(xù)涌現(xiàn)，數(shù)據(jù)總量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，廣泛的數(shù)據(jù)讀寫與傳輸需求驅(qū)動(dòng)全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模快速擴(kuò)大。與此同時(shí)，本土終端廠商的崛起及其對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)建設(shè)的需求，為國(guó)產(chǎn)DRAM廠商帶來了巨大機(jī)遇，存儲(chǔ)行業(yè)高景氣度有望延續(xù)。

當(dāng)前，受供需錯(cuò)配影響，DRAM與NAND合約價(jià)格環(huán)比大幅上行，原廠議價(jià)能力顯著提升，緊缺漲價(jià)格局仍具備較強(qiáng)延續(xù)性。CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1371.4億美元，環(huán)比增長(zhǎng)81.6%，同比增長(zhǎng)245%。

值得注意的是，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)原廠進(jìn)入上行周期（883436）或?qū)?dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體（881121）制造資本開支增長(zhǎng)，利好上游材料、設(shè)備等供應(yīng)鏈各環(huán)節(jié)。

招股書顯示，長(zhǎng)鑫科技生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)使用的主要原材料包括化學(xué)品、光阻劑、硅片、氣體、靶材、備件及其他等。據(jù)公開資料，在此類領(lǐng)域，已有多家A股上市公司充分布局。

靶材方面，江豐電子（300666）超高純鎢靶主要應(yīng)用在IC集成電路存儲(chǔ)芯片（886042）中，其純度達(dá)到5N以上（99.999%），關(guān)鍵特定有害雜質(zhì)（如Na/K等）需控制在千萬分之一以下水平。近年來，公司生產(chǎn)的超高純鎢靶已在多家國(guó)際知名存儲(chǔ)芯片（886042）制造商實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。

硅材料方面，神工股份（688233）的大直徑硅材料產(chǎn)品及其制成品硅零部件，是高端存儲(chǔ)芯片（886042）制造所需等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的核心耗材。目前，公司已進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流存儲(chǔ)芯片（886042）制造廠及等離子刻蝕設(shè)備制造廠的供應(yīng)鏈。

化學(xué)品方面，興福電子（688545）的通用濕電子化學(xué)品（881172）及功能濕電子化學(xué)品（881172），主要應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域電子元器件濕法工藝制程的蝕刻、清洗等工藝環(huán)節(jié)。公司已通過中芯國(guó)際（688981）、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、臺(tái)積電（TSM）、SK海力士等知名集成電路廠商多種產(chǎn)品認(rèn)證。

設(shè)備方面，面向存儲(chǔ)器件制造工藝，中微公司（688012）的產(chǎn)品可覆蓋絕大部分刻蝕應(yīng)用。公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件的超高深寬比刻蝕工藝，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

平臺(tái)型設(shè)備商北方華創(chuàng)（002371）的刻蝕、CVD、PVD、熱處理、濕法清洗、電鍍等設(shè)備，也成功適配3D NAND與HBM制造需求，已進(jìn)入多家頭部存儲(chǔ)廠商的批量采購(gòu)清單，成為其核心供應(yīng)商。