國(guó)產(chǎn)DRAM龍頭即將登陸資本市場(chǎng)。6月12日，證監(jiān)會(huì)同意長(zhǎng)鑫科技首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊(cè)申請(qǐng)。不過，近期全球范圍內(nèi)存儲(chǔ)巨頭股價(jià)波動(dòng)加大，開始引發(fā)系列擔(dān)憂和防范。

作為科創(chuàng)板落地“預(yù)先審閱”改革后的首單試點(diǎn)項(xiàng)目，長(zhǎng)鑫科技在2025年12月30日科創(chuàng)板受理，到本次注冊(cè)生效，歷時(shí)165天完成審核，創(chuàng)下國(guó)內(nèi)大型硬科技IPO審核高效率記錄。

長(zhǎng)鑫科技為無控股股東、無實(shí)際控制人架構(gòu)，由創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)日常經(jīng)營(yíng)。前五大股東包括清輝集電、長(zhǎng)鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投，其中，合肥國(guó)資體系合計(jì)持有長(zhǎng)鑫科技股權(quán)比例約37%。另外，朱一明通過合肥集鑫上層合伙人平臺(tái)獲授予15.36億股作為激勵(lì)股份，計(jì)劃將獲授股份50%將在上市后10年內(nèi)全部分配給公司員工(不含其本人)用作激勵(lì)。

受益于AI服務(wù)器算力需求爆發(fā)，全球DRAM景氣度持續(xù)攀升，長(zhǎng)鑫科技近期業(yè)績(jī)迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)，盈利規(guī)模躋身A股頭部梯隊(duì)。2026年一季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收508億元，同比暴漲719.13%，歸母凈利潤(rùn)247.62億元，扣非歸母凈利潤(rùn)263.41億元，單季度營(yíng)收、凈利潤(rùn)兩項(xiàng)指標(biāo)均居科創(chuàng)板所有上市公司首位。

結(jié)合公司披露的上半年業(yè)績(jī)預(yù)告，2026年上半年預(yù)計(jì)營(yíng)收實(shí)現(xiàn)1100億至1200億元，同比增長(zhǎng)612.53%至677.31%，歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)500億至570億元，盈利增長(zhǎng)勢(shì)頭延續(xù)。

在技術(shù)上，長(zhǎng)鑫科技采取“跳代研發(fā)”，完成從第一代工藝技術(shù)平臺(tái)到第四代工藝技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產(chǎn)品覆蓋和迭代，目前核心產(chǎn)品及工藝技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

本次公司IPO募集資金295億元，創(chuàng)下科創(chuàng)板IPO擬募資額之最，將投向“存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目”“DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目”和“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目”。

當(dāng)前全球DRAM行業(yè)格局，海外寡頭壟斷格局依舊穩(wěn)固，長(zhǎng)鑫科技是唯一實(shí)現(xiàn)突圍的中國(guó)大陸廠商。根據(jù)Omdia2025年第四季度銷售額統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，SK海力士、三星電子、美光科技（MU）合計(jì)壟斷超91%的全球市場(chǎng)，長(zhǎng)鑫科技以7.67%的份額穩(wěn)居全球第四、國(guó)內(nèi)第一，打破了海外巨頭的技術(shù)與市場(chǎng)雙重封鎖。

隨著長(zhǎng)鑫科技注冊(cè)落地，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化布局迎來關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)閃存原廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于5月19日上市輔導(dǎo)備案，啟動(dòng)IPO流程，是中國(guó)最大的NAND Flash制造商，公司正加速產(chǎn)能布局，致力于打造世界級(jí)存算一體產(chǎn)業(yè)化基地。

分析認(rèn)為，兩大國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)原廠先后登陸A股后，將借助資本市場(chǎng)募資加速產(chǎn)能擴(kuò)張、設(shè)備材料國(guó)產(chǎn)化替代，帶動(dòng)上游刻蝕、薄膜、光刻配套以及下游封測(cè)全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體（881121）存儲(chǔ)板塊長(zhǎng)期短板。

在長(zhǎng)鑫科技推進(jìn)上市進(jìn)程之際，國(guó)際存儲(chǔ)巨頭市值年內(nèi)持續(xù)飆升，行業(yè)估值邏輯正在嘗試重構(gòu)，從“傳統(tǒng)周期（883436）股”向“AI基礎(chǔ)設(shè)施成長(zhǎng)股”切換。不過，最新消息稱，全球主要銀行正圍繞對(duì)沖基金押注SK海力士及三星電子的杠桿頭寸實(shí)施管控，包括提高這兩只股票互換交易的融資利率，旨在應(yīng)對(duì)上述芯片股今年來急劇飆升后積累的潛在回調(diào)風(fēng)險(xiǎn)。

當(dāng)前存儲(chǔ)芯片（886042）市場(chǎng)仍保持高景氣度。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)機(jī)構(gòu)最新預(yù)測(cè)，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1371.4億美元，環(huán)比增長(zhǎng)81.6%，同比增長(zhǎng)245%，創(chuàng)歷史季度新高。另外，受供需錯(cuò)配影響，存儲(chǔ)緊缺漲價(jià)格局仍具備較強(qiáng)延續(xù)性。