中國上市公司網(wǎng)訊7月16日，上交所發(fā)布并購重組審核委員會2026年第11次審議會議結(jié)果公告，上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司(證券代碼：688230，證券簡稱：芯導(dǎo)科技（688230）)發(fā)行股份購買資產(chǎn)的相關(guān)申請獲通過。
據(jù)悉，芯導(dǎo)科技（688230）本次擬向盛鋒、李暉、黃松、王青松、瞬雷優(yōu)才發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券及支付現(xiàn)金形式購買吉瞬科技100%股權(quán)、瞬雷科技17.15%的股權(quán)，從而直接及間接持有瞬雷科技100%股權(quán)，實(shí)現(xiàn)對瞬雷科技的100%控制。
公開資料顯示，芯導(dǎo)科技（688230）所處行業(yè)屬于集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)，目前，公司產(chǎn)品主要包括功率器件和功率IC,功率器件產(chǎn)品主要為TVS(包括ESD保護(hù)器件)、MOSFET、肖特基等;功率IC產(chǎn)品主要為電源管理IC。公司產(chǎn)品具有高性能、低損耗、低漏電、小型化的特點(diǎn)，可應(yīng)用于消費(fèi)（883434）類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防（885423）、工業(yè)、汽車、儲能（885921）等領(lǐng)域。公司在繼續(xù)深耕消費(fèi)（883434）類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防（885423）、工業(yè)等領(lǐng)域的同時(shí)，也在積極將產(chǎn)品向汽車電子（885545）、光伏儲能（885921）等領(lǐng)域拓展。
公司自主研發(fā)的一種降低芯片反向漏電流的技術(shù)、深槽隔離及穿通型NPN結(jié)構(gòu)技術(shù)、MOSFET的溝槽優(yōu)化技術(shù)、溝槽MOS型肖特基勢壘二極管的改進(jìn)技術(shù)、可連續(xù)調(diào)節(jié)的占空比環(huán)路控制技術(shù)、一種復(fù)合DC-DC電路、一種負(fù)載識別電路等核心技術(shù)顯著提升了公司產(chǎn)品的技術(shù)水平及市場競爭力，具有國內(nèi)領(lǐng)先水平。一種GaN HEMT器件制備技術(shù)，優(yōu)化了終端結(jié)構(gòu)，降低工藝開發(fā)過程引入的漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)優(yōu)化了終端結(jié)構(gòu)，使得GaN HEMT產(chǎn)品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已經(jīng)正式發(fā)布具有自主專利技術(shù)的GaN HEMT產(chǎn)品，并在多個(gè)客戶端進(jìn)行驗(yàn)證，是第三代半導(dǎo)體（885908）產(chǎn)品較早開發(fā)成功的國內(nèi)企業(yè)。IGBT通用溝槽柵技術(shù)優(yōu)化了載流子濃度和傳輸路徑，減少了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提升了產(chǎn)品使用效率;IGBT精細(xì)溝槽柵技術(shù)實(shí)現(xiàn)了芯片的通流能力和閂鎖能力的提升，同時(shí)進(jìn)一步降低了正向?qū)▔航导皳p耗，芯片面積和性能得到了折中，適合在新能源（850101）系統(tǒng)上應(yīng)用。
重組委會議現(xiàn)場問詢的主要問題
請上市公司代表結(jié)合標(biāo)的公司產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域、技術(shù)先進(jìn)性、競爭優(yōu)勢，以及Fab-lite（LITE）模式下自制產(chǎn)品工序和產(chǎn)能利用率情況，說明上市公司與標(biāo)的公司生產(chǎn)協(xié)同的可操作性，本次交易是否有利于增強(qiáng)上市公司“硬科技”屬性。請獨(dú)立財(cái)務(wù)顧問代表發(fā)表明確意見。
