證券日報(bào)網(wǎng)訊7月27日，六九一二（301592）在互動平臺回答投資者提問時(shí)表示，GaN固態(tài)陣列與磁控管是現(xiàn)階段高功率微波的兩條主要技術(shù)路線，二者各有特點(diǎn)，面向不同的應(yīng)用需求，更多是互補(bǔ)關(guān)系而非簡單替代。磁控管屬于電真空器件，單管即可實(shí)現(xiàn)吉瓦級高峰值功率輸出，具有系統(tǒng)鏈路簡潔、工程實(shí)現(xiàn)成熟、效費(fèi)比高等優(yōu)勢，但波形和脈寬的可調(diào)范圍相對有限，波束轉(zhuǎn)向一般依賴機(jī)械轉(zhuǎn)臺。GaN固態(tài)陣列通過大量功放單元功率合成輸出，采用相控陣電控掃描，可實(shí)現(xiàn)波束微秒級捷變，多目標(biāo)響應(yīng)速度快；同時(shí)也面臨設(shè)備造價(jià)較高、通道合成存在損耗、長時(shí)間工作散熱和供電負(fù)荷壓力大等工程難點(diǎn)。實(shí)際應(yīng)用中，兩種技術(shù)路線通常根據(jù)具體需求搭配使用、相互補(bǔ)充。公司在高功率磁控管技術(shù)方面擁有多年的技術(shù)積累和自主知識產(chǎn)權(quán)，同時(shí)持續(xù)跟蹤包括GaN固態(tài)陣列在內(nèi)的國外各類技術(shù)路線發(fā)展動態(tài)。