韓國芯片巨頭暴力反攻！
今日早間，韓國股市開盤后，存儲(chǔ)芯片（886042）巨頭三星電子大幅拉升，一度暴漲超10%，SK海力士亦大幅走強(qiáng)，大漲超5%。消息面上，此前有報(bào)道稱三星電子可能宣布90萬億韓元的股份回購。
與此同時(shí)，多家華爾街機(jī)構(gòu)看好半導(dǎo)體（881121）行業(yè)前景，美國銀行（BAC）在最新發(fā)布的報(bào)告中表示，大幅上調(diào)包括英特爾（INTC）、美光科技（MU）在內(nèi)的多家半導(dǎo)體（881121）巨頭的目標(biāo)股價(jià)，理由是AI(人工智能（885728）)相關(guān)支出的可見性已清晰延伸至2028年。美銀還將半導(dǎo)體（881121）市場的總潛在規(guī)模(TAM)預(yù)期從此前的2.3萬億美元大幅上調(diào)至2.7萬億美元。
芯片巨頭飆漲
北京時(shí)間6月24日早間，韓國股市開盤后，SK海力士、三星電子股價(jià)集體走強(qiáng)，截至08:30，漲幅分別為5.09%、9.19%。受此推動(dòng)，韓國kospi（KS11）指數(shù)大漲4.02%。日本股市亦小幅反彈，日經(jīng)225（N225）指數(shù)漲0.14%。
然而隔夜美股芯片全線重挫，費(fèi)城半導(dǎo)體（SOX）指數(shù)大跌超7%，成分股悉數(shù)收跌，美光科技（MU）暴跌超13%，安森美半導(dǎo)體（ON）暴跌超11%，Arm大跌超10%，應(yīng)用材料（AMAT）、德州儀器（TXN）、高通（QCOM）大跌超8%，阿斯麥（ASML）ADR、恩智浦（NXPI）大跌超7%，臺(tái)積電（TSM）ADR、英特爾（INTC）大跌超6%。
消息面上，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，SK海力士周三或就其計(jì)劃的美國存托憑證(ADR)上市向韓國金融監(jiān)督院提交證券注冊聲明。SK海力士預(yù)計(jì)金融監(jiān)督院最早將于7月3日完成文件審核；其ADR預(yù)計(jì)可能在7月完成上市。
另據(jù)韓國媒體最新報(bào)道，三星電子正在HBM4賽道上全力提速。據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子HBM4營收已超過10億美元，成為業(yè)內(nèi)首個(gè)在量產(chǎn)后四個(gè)月內(nèi)達(dá)到這一里程碑的公司，按6月底預(yù)測，這一數(shù)字有望進(jìn)一步突破12億美元。
TrendForce指出，三星電子在HBM4上的技術(shù)優(yōu)勢來自于底層芯片采用4nm FinFET制程節(jié)點(diǎn)，其認(rèn)證時(shí)間線領(lǐng)先于競爭對手。受益于此，三星電子全年HBM4出貨量預(yù)測已從3500億Gb小幅上調(diào)至4000億Gb。
報(bào)道稱，相比之下，SK海力士則在放緩HBM4產(chǎn)能爬坡節(jié)奏，并削減部分原定從HBM3E升級至HBM4的產(chǎn)線轉(zhuǎn)換計(jì)劃。該公司認(rèn)為，在HBM市場已占據(jù)強(qiáng)勢地位的情況下，沒有必要激進(jìn)押注下一代產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)。
SK海力士放緩HBM4擴(kuò)產(chǎn)的核心邏輯，在于對利潤率的主動(dòng)管理。據(jù)韓媒Chosun.biz報(bào)道，HBM業(yè)務(wù)目前已占該公司總營收逾40%，在現(xiàn)有市場地位穩(wěn)固的前提下，繼續(xù)大規(guī)模投入HBM4擴(kuò)產(chǎn)的邊際收益有限。
普通DRAM市場的盈利前景正變得愈發(fā)吸引人。分析師預(yù)計(jì)，DRAM運(yùn)營利潤率有望在年內(nèi)接近90%的理論峰值。SK海力士第一季度DRAM平均售價(jià)已環(huán)比上漲約60%，公司表示，將重點(diǎn)聚焦高密度服務(wù)器模組及移動(dòng)端需求。此外，該公司與微軟（MSFT）簽訂的三年期DDR5供應(yīng)協(xié)議，也被市場普遍視為強(qiáng)化了其在普通DRAM領(lǐng)域的長期盈利能見度。
在產(chǎn)能規(guī)劃層面，據(jù)TrendForce，SK海力士HBM4大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)已推遲，有效放量預(yù)計(jì)將延至2026年第三季度。受此影響，其全年HBM4出貨量預(yù)測從4500億Gb下調(diào)至4000億Gb。
美銀：大幅上調(diào)
美國銀行（BAC）在最新發(fā)布的報(bào)告中表示，大幅上調(diào)包括英特爾（INTC）、美光科技（MU）等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體（881121）公司的目標(biāo)股價(jià)，理由是人工智能（885728）相關(guān)支出的可見性已清晰延伸至2028年。
在報(bào)告中，美銀還對晶圓制造設(shè)備(WFE)的支出預(yù)測做出了顯著上調(diào)，將2029年、2030年的WFE預(yù)測分別上調(diào)至2680億美元(+7%)、2920億美元(+9%)。
美銀在報(bào)告中給出了以下三大理由：
1.潔凈室可用性提高。隨著全球晶圓廠建設(shè)逐步推進(jìn)，此前制約產(chǎn)能擴(kuò)張的潔凈室瓶頸正在緩解，為設(shè)備安裝提供了更充裕的空間。
2.存儲(chǔ)器長期協(xié)議(LTA)帶來的高能見度。存儲(chǔ)芯片（886042）廠商與下游客戶簽訂的長期供應(yīng)協(xié)議，為資本支出決策提供了前所未有的確定性，使得設(shè)備采購計(jì)劃能夠提前鎖定。
3.關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)推高每片晶圓的WFE強(qiáng)度。在存儲(chǔ)器和邏輯器件的周期（883436）性升級中，先進(jìn)制程對設(shè)備的需求密度持續(xù)攀升。
美銀還指出，英特爾（INTC）和三星在先進(jìn)晶圓代工與邏輯器件產(chǎn)能上的進(jìn)展，以及Terafab項(xiàng)目的潛在貢獻(xiàn)，均為行業(yè)注入了強(qiáng)心針。
值得注意的是，美銀并非唯一看好WFE前景的投行。摩根大通（JPM）此前已將2026年全球WFE增長預(yù)測從21%上調(diào)至28%，預(yù)計(jì)2027年進(jìn)一步增長29%，2028年仍將保持16%的增長。富國銀行（WFC）也同步上調(diào)了2027年和2028年的WFE預(yù)測。
美銀在此次報(bào)告中還將半導(dǎo)體（881121）市場的總潛在規(guī)模(TAM)預(yù)期從此前的2.3萬億美元大幅上調(diào)至2.7萬億美元，意味著2025年至2030年間行業(yè)復(fù)合年增長率將達(dá)到28%。
