7月7日，美股盤前，美光科技（MU）（MU.US）、閃迪（SNDK）（SNDK.US）美股盤前均跌超6%。西部數(shù)據(jù)（WDC）（WDC.US）跌超5%，希捷科技（STX）（STX.US）跌近4%，英特爾（INTC）（INTC.US）、高通（QCOM）（QCOM.US）、博通（AVGO）（AVGO.US）盤前紛紛下跌。

當日，日韓股市集體收跌，日經(jīng)225（N225）指數(shù)收跌2.12%，報68256.96點；韓國kospi（KS11）指數(shù)跌4.91%，報7655.92點。其中，韓股1天熔斷2次，海力士三星大跌10%。

三星電子7日發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，受半導(dǎo)體（881121）超級周期（883436）和技術(shù)競爭力回升的提振，該公司今年第二季度營業(yè)利潤達89.4萬億韓元（約合人民幣3989億元），同比增長超過1810%，單季營業(yè)利潤已超過去年全年的2倍。此外，三星電子第二季度銷售額為171萬億韓元（約合人民幣7631億元），同比增長約129%。從去年第四季度起，該公司營業(yè)利潤和銷售額已連續(xù)三個季度創(chuàng)下歷史新高。據(jù)韓聯(lián)社報道，在全球科技企業(yè)中，三星電子的這一單季盈利規(guī)模已超過英偉達（NVDA）（NVDA.US）、蘋果（AAPL）（AAPL.US）等公司的歷史最高紀錄。

韓聯(lián)社報道說，三星電子當天未公布各部門具體業(yè)績，但業(yè)界認為，公司大部分營業(yè)利潤來自芯片業(yè)務(wù)部門。分析稱，全球人工智能（885728）基礎(chǔ)設(shè)施投資持續(xù)增長帶動半導(dǎo)體（881121）供需趨緊和存儲芯片（886042）價格走強，推動公司業(yè)績增長。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)計，這一景氣周期（883436）至少將持續(xù)到明年。

不過，盡管其業(yè)績表現(xiàn)極其亮眼，但對于此前已被市場“完美定價”的三星而言，這一成績?nèi)詿o法滿足投資者的超高預(yù)期。

7月6日美股收盤，三大指數(shù)集體收漲，道指漲0.3%，再創(chuàng)歷史新高。納指漲1.12%，標普500（SPX）指數(shù)漲0.73%。存儲芯片（886042）板塊集體反彈，西部數(shù)據(jù)（WDC）（WDC.US）漲超7%，超威半導(dǎo)體（AMD）漲近7%，希捷科技（STX）（STX.US）漲近6%，AMD漲超6%，臺積電（TSM）（TSM.US）漲超4%，博通（AVGO）（AVGO.US）、阿斯麥（ASML）（ASML.US）漲均超3%，英特爾（INTC）（INTC.US）漲超1%，美光科技（MU）（MU.US）漲近1%。

消息面上，高盛（GS）同步上調(diào)多家存儲巨頭目標價。具體來看，將閃迪（SNDK）（SNDK.US）目標價從1200美元大幅上調(diào)至2200美元，將西部數(shù)據(jù)（WDC）目標價從400美元上調(diào)至650美元。將應(yīng)用材料（AMAT）目標價從520美元上調(diào)至645美元，將高通（QCOM）（QCOM.US）目標價從145美元上調(diào)至180美元，將AMD目標價從450美元上調(diào)至640美元，將希捷科技（STX）目標價從700美元上調(diào)至960美元。

當日，花旗（C）在最新研報中，將臺積電（TSM）目標價從2875新臺幣大幅上調(diào)32%至3800新臺幣，同時重申“買入”評級。按當日臺股成交價約新臺幣2500元計算，新目標價隱含約54%的上行空間。與此同時，高盛（GS）亦在臺積電（TSM）第二季度業(yè)績公布前將臺積電（TSM）12個月目標價由2750元新臺幣上調(diào)至3000元新臺幣，ADR目標價由550美元上調(diào)至600美元。