【導讀】美股存儲板塊盤前跌幅擴大，西部數(shù)據(jù)跌逾8%

7月16日，美股三大期指漲跌不一，納斯達克（NDAQ）指數(shù)期貨跌0.93%，道瓊斯指數(shù)期貨漲0.14%，標普500（SPX）指數(shù)期貨跌0.29%。

美股存儲板塊盤前跌幅擴大，西部數(shù)據(jù)（WDC）跌逾8%，閃迪（SNDK）、SK海力士（SKHY）均跌超7%，美光科技（MU）、希捷科技（STX）、邁威爾科技（MRVL）等跟跌。

消息面上，今日亞洲市場存儲芯片（886042）板塊集體下挫，韓國兩大存儲芯片（886042）巨頭大跌，SK海力士（SKHY）暴跌超11%，三星電子跌超8%。

7月16日，韓國金融服務委員會正式宣布了一系列針對單一股票杠桿ETF的監(jiān)管措施。其中，最低保證金從1000萬韓元提高至3000萬韓元，且僅認可現(xiàn)金作為保證金。同時，單只股票杠桿交易每次限購20股。此外，韓國將禁止新的單一股票杠桿產(chǎn)品上市。

有分析師指（399354）出，當前存儲板塊的普跌并非孤立事件，而是對韓國金融監(jiān)管機構收緊杠桿交易規(guī)則的直接反應。韓國今天宣布提高芯片杠桿ETF最低保證金要求并禁止新的單一股票杠桿產(chǎn)品上市，此舉精準打擊了存儲股交易中一個活躍的投機資金來源。作為AI算力基建的關鍵一環(huán)，存儲板塊此前因美光等公司亮眼財報和AI需求預期，年內(nèi)漲幅巨大，已成為市場情緒與流動性的放大器。

KeyBanc分析師John Vinh維持對整體存儲市場的積極判斷，預計NAND三季度漲價30%至40%，四季度再漲15%；HBM價格2027年有望實現(xiàn)翻倍。

研究分析師Shuli Ren近期發(fā)布報告指出，全球存儲芯片（886042）短缺將在2026年第二季度達到峰值，2027年第一季度開始回穩(wěn)，最快2028年出現(xiàn)產(chǎn)能過剩。

此外，在財報發(fā)布后，臺積電（TSM）盤前跌超5%。

當?shù)貢r間7月17日，臺積電（TSM）公布2026年第二季度財報，第二季度臺積電（TSM）實現(xiàn)營收1.27萬億新臺幣，同比增長36%，高于分析師預期的1.264萬億新臺幣；凈利潤達7066億新臺幣，同比增長77.4%，高于市場預期的6237億新臺幣；毛利率為67.7%，同樣優(yōu)于預期。

新加坡Four Capital基金經(jīng)理Ricky Ho表示，目前市場對臺積電（TSM）的預期已處于“異常高位”，未來股價的進一步上漲將越來越依賴于持續(xù)超越市場預期的業(yè)績。